因為EDS的能量解析度只有130 電子伏特(eV)，所以能峰重疊在EDS能譜中經常發生，如何判斷重疊的能峰真正歸屬是本文的主題之一。另一種典型偽訊號稱為迷走X光(Spurious X-Rays)，源自入射電子束被散射後，激發其他試片區域或試片承載具而產生的X光訊號。
如圖二(a)所示，當SEM的試片表面是凹凸不平時，有一些X光會來自非電子束直接照射的區域，這些被散射電子擊中的地區如果組成和主分析區無異，則沒有甚麼問題。但如果組成和主分析區不同，則會產生令人困惑的元素能峰。因為試片粗糙表面引起的迷走X光的情況相當複雜，所以在SEM/EDS分析中，除了破斷面分析外，都會將試片研磨拋光，形成平滑的表面，從根本上去除產生迷走X光的可能性。
圖二：EDS分析產生迷走X光的示意圖。(a)粗糙表面的SEM試片；(b)TEM試片和物鏡室。(圖片來源：宜特科技)
本文將只討論TEM/EDS分析中的迷走X光。在TEM中產生的迷走X光如圖二(b)所示，從圖二(b)中可以看出，主要的迷走X光就是來自承載試片的銅環和物鏡。由物鏡產生的迷走X光，另稱為系統X光(System X-rays)[3]，因為物鏡是TEM系統本身的組件。透過在EDS偵測器前方增設準直器(Collimator)後，以高角度進入EDS偵測器的系統X光，在新型的TEM/EDS系統中已經被排除至可忽略的程度，接下來要討論的主題是以銅環產生的迷走X光為主。因為銅環是最廣為用於承載TEM試片，所以在許多TEM/EDS能譜中，都可以看到銅的能峰，如圖三中的EDS能譜所示；如果承載試片的銅環改成鎳環，迷走X光就變成鎳 X光。
圖三：正規化的EDS能譜圖。(a)矽；(b)二氧化矽；(c) 二氧化矽+氮化鈦；(d)銀；(e) 二氧化矽+氮化鈦；(f)鎢。Cu Kα能峰的高度隨被分析材料的平均原子序增大而提高。
(圖片來源：宜特科技)
圖三顯示6個正規化(Normalization)的EDS能譜，仔細觀察這些EDS能譜，發現這些能譜中的銅X光訊號有二大特點：
(一) 只有Cu Kα 能峰(8.040 KeV)，沒有Cu Lα 能峰(0.930 KeV)
(二) Cu Kα的能峰強度(Peak Intensity)大致上隨分析材料的平均原子序增大而增強。收集一系列用銅環承載的試片的TEM/EDS能譜並加以分析後後，得到如圖四的曲線趨勢圖。
圖四的橫軸是原子序，縱軸是Cu Kα的能峰強度和該EDS能譜中主元素能峰強度的比值，例如：Si Kα 或Ta Mα。圖四中的資料清楚顯示在沒有銅元素的試片中，Cu Kα仍然可見，其能峰強度確實會隨被分析材料的原子序增大而增加，只是二者的關係並非是簡單的線性關係。Cu Lα X光不是沒有產生，只是沒有足夠的能量溢出銅環。在TEM試片中純銅區域產生的EDS能譜如圖五(a)所示， Cu Lα能峰比Cu Kα能峰高；類似地，從一純鎳的區域獲得的TEM/EDS能譜如圖五(b)所示， Ni Kα能峰和Ni Lα能峰的高度相仿。(正規化：將能譜中所有的訊號除以最大的訊號，使最大訊號強度等於1。)
圖四：銅訊號強度和主元素訊號強度比值隨原子序變化的趨勢圖。(圖片來源：宜特科技)
圖五：正規化的EDS能譜圖。(a)銅；(b)鎳。(圖片來源：宜特科技)
綜合圖三 ~圖五的資料得出的規則性，我們可以用來判斷圖六中，各層薄膜的EDS能譜中的銅訊號是迷走X光，而不是濺鍍靶材受到銅元素汙染。材料分析工程師應要負責提供客戶準確的材料分析訊息，透過正確解讀材料分析資料，研發部門和製程部門能夠節省改善製程所需的時間和資源。
圖六：多層薄膜材料的STEM/EDS分析。對應各層薄膜的EDS能譜都只有Cu Kα的能峰，沒有Cu Lα的能峰；並且Cu Kα的高度隨薄膜材料的平均原子序增大而提高。(圖片來源：宜特科技)